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碳化硅pvt培育的长晶
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参考报价:
面议
品牌:
东尼电子
关注度:
281
样本:
暂无
型号:
碳化硅pvt培育的长晶
产地:
浙江
信息完整度:
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暂无
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PVT法长晶

籽晶粘结成功率可以接近100%,平均生长速度0.13-0.16mm/h,晶体利用率更高,更加适合6~8寸晶体的生长,单位晶体成本更低。同时具有高可靠性,热场和工艺调节更便捷,更加适合规模化生产,这些优势在生长大尺寸晶体时尤其明显。


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